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发射器是定向钙钛矿纳米片，联手具有~84%的高面内TDM比，导致LED的光提取效率为~31%。构建二维半导体的范德华(vdWs)触点是一种通过降低界面态来降低肖特基势垒高度的先进策略，打造但由于半导体电子亲和和金属功函数之间不可避免的能量差，打造最终将在理论最小势垒处失败。

在这里，据中使用可控的实验方法来消除总电离剂量(TID)辐射对顶栅CNTFET的不同单独组件的影响，包括CNT通道、栅极电介质和衬底。当选院士以来发表的文章一共为20篇（截止2021-10-29）其中期刊影响因子为：思科d数叶志镇人物介绍：思科d数宽禁带半导体光电薄膜材料专家，主要从事宽禁带半导体氧化锌等无机光电薄膜材料及关键技术研究。本内容为作者独立观点，联手不代表材料人网立场。

此外，打造肖特基势垒优化被推广到其他金属-半导体接触，打造包括1T-PtSe2/WSe2、1T-MoTe2/WSe2、2H-NbS2/WSe2和Au/PdSe2，定义了一种简单、通用且可扩展的方法来最小化接触电阻。这些共同努力使绿色PeLED的EQE达到创纪录的23.6%，据中这是平面PeLED中的最高值。

此外，思科d数CNT膜不仅充当辐射硬化半导体通道，而且通过部分屏蔽衬底免受辐射损伤来保护通道/衬底界面。

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